全球首家！三星宣布已量产3nm芯片 性能提高23%
6月30日，三星宣布已开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3nm半导体芯片，性能较5nm芯片更强，功耗更低。
据悉，三星3nm芯片采用的GAA（Gate All Around）晶体管架构，通过降低电源电压和增强驱动电流能力来获得更高的功率效率。三星还在芯片中使用纳米片晶体管，而通过调整纳米片的宽度，三星的客户可以根据自己的需要定制功耗和性能。
另外，与5nm芯片相比，三星表示新芯片的性能提高了23%，功耗降低了45%，面积减少了16%。第二代3nm芯片将提供50%的功率效率提升、30%的性能提升和35%的面积减少。
目前，三星还未公布哪家厂商将首发3nm芯片。